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紅外激光測(cè)厚儀是用來(lái)測(cè)量材料及物體厚度的儀表。在工業(yè)生產(chǎn)中常用來(lái)連續(xù)或抽樣測(cè)量產(chǎn)品的厚度。這類(lèi)儀表中有利用α射線、β射線、γ射線穿透特性的放射性厚度計(jì)；有利用超聲波頻率變化的超聲波厚度計(jì)；有利用渦流原理的電渦流厚度計(jì)；還有利用機(jī)械接觸式測(cè)量原理的測(cè)厚儀等。應(yīng)用領(lǐng)域：黃金，鉑，銀等貴金屬和各種首飾的含量檢測(cè)；金屬鍍層的厚度測(cè)量,電鍍液和鍍層含量的測(cè)定；主要用于貴金屬加工和首飾加工行業(yè)；銀行，首飾銷(xiāo)售和檢測(cè)機(jī)構(gòu)；電鍍行業(yè)。紅外激光測(cè)厚儀主要類(lèi)型：1、紙張測(cè)厚儀：適用于4mm以下的...

在SEMICON展會(huì)期間，為半導(dǎo)體、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和納米技術(shù)應(yīng)用提供晶圓處理解決方案的*企業(yè)EVG隆重推出了用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)批量生產(chǎn)的第二代全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。GenII在發(fā)布第一代EVG620HBL的一年后推出，提供一個(gè)工具平臺(tái)，主要用于滿足HB-LED客戶的特定需求，以及市場(chǎng)對(duì)降低總所有權(quán)成本的不斷要求。另外，EVG620HBLGenII還優(yōu)化了晶圓廠的工具足跡——與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，每平方米潔凈室空間的晶圓產(chǎn)出量提高了55%。HBLGenII專(zhuān)為...

橢圓偏振儀是一種用于探測(cè)薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測(cè)量設(shè)備。由于并不與樣品接觸，對(duì)樣品沒(méi)有破壞且不需要真空?？蓽y(cè)的材料包括：半導(dǎo)體、電介質(zhì)、聚合物、有機(jī)物、金屬、多層膜物質(zhì)?？梢詰?yīng)用于半導(dǎo)體、通訊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、光學(xué)鍍膜、平板顯示器、科研、生物、醫(yī)藥等領(lǐng)域。橢圓偏振儀的結(jié)構(gòu)：本產(chǎn)品常用的光學(xué)元件有下列幾種：1、光源：橢圓偏振儀的理想光源是強(qiáng)度穩(wěn)定，從紫外到近紅外整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)輸出近似為常數(shù)，目前大多選用Xe或Hg-Xe燈是比較合理的，但是它在UV強(qiáng)度較弱，而在880~...

等離子去膠和等離子清洗機(jī)是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或單晶片處理，具有廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具，可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式，也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。等離子去膠機(jī)基本工藝流程：1、將圓片從片盒內(nèi)取出，放置到工藝腔內(nèi)，執(zhí)行所選定的工藝文件完成去膠，將圓片放到冷卻臺(tái)上(如有需要)，最后將圓片送回片盒。為了獲得更高的產(chǎn)量，可以使用熱絕緣的Teflon片盒，...

折射率測(cè)量?jī)x能測(cè)出蔗糖溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(錘度Brix)(0-95%，相當(dāng)于折射率為1.333-1.531)。故此儀器使用范圍甚廣，是石油工業(yè)、油脂工業(yè)、制藥工業(yè)、制漆工業(yè)、日用化學(xué)工業(yè)、制糖工業(yè)和地質(zhì)勘察等有關(guān)工廠、學(xué)校及有關(guān)科研單位*的常用設(shè)備之一。折射率測(cè)量?jī)x的準(zhǔn)備工作：1、在開(kāi)始測(cè)定前，必須先用蒸餾水或用標(biāo)準(zhǔn)試樣校對(duì)讀數(shù)。如用標(biāo)準(zhǔn)試樣則對(duì)折射棱鏡的拋光面加1—2滴溴代萘，再貼上標(biāo)準(zhǔn)試樣的拋光面，當(dāng)讀數(shù)視場(chǎng)指示于標(biāo)準(zhǔn)試樣上之值時(shí)，觀察望遠(yuǎn)鏡內(nèi)明暗分界線是否在十字線中間，若有...